ROHM Semiconductor BDE1000G
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BDE1000G
2078-BDE1000G
无类别的
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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BDE1000G详情
ROHM Semiconductor BDE1000G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
供应商器件包装
TO-263AB
Package Shape/Style
RECTANGULAR
Operating Temperature-Min
-30 °C
Supply Voltage-Min
2.9 V
Operating Temperature-Max
130 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BDE1000G
Accuracy-Max (Cel)
3.5 Cel
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Supply Voltage-Max
5.5 V
Risk Rank
5.83
系列
--
包装
Tube
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
零件状态
Discontinued at Digi-Key
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
Reach合规守则
compliant
基本部件号
MBRB1060
本体长度/直径
2.9 mm
本体宽度
1.6 mm
终端类型
SOLDER
速度
Fast Recovery = 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
100µA @ 60V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
800mV @ 10A
工作温度 - 结点
-65°C ~ 150°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
60V
平均整流电流(Io)
10A
电容@Vr, F
--
输出电压-最大值
1.79 V
输出电压-最小
1.716 V
传感器/传感器类型
TEMPERATURE SENSOR,ANALOG,VOLTAGE OUTPUT
工作电流-最大值
0.02 mA
本体高度
1.25 mm
BDE1000G拓展信息







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