BR24C02-RMN6TP
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ROHM Semiconductor BR24C02-RMN6TP

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型号

BR24C02-RMN6TP

utmel 编号

2078-BR24C02-RMN6TP

商品类别

存储器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SO

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BR24C02-RMN6TP ROHM Semiconductor IC EEPROM 2K I2C 100KHZ 8SO

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BR24C02-RMN6TP详情

ROHM Semiconductor BR24C02-RMN6TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2005

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 供电

    1.8V~5.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    2.5V

  • 端子间距

    1.27mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BR24C02

  • 引脚数量

    8

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    5V

  • 界面

    2-Wire, I2C, Serial

  • 内存大小

    2Kb 256 x 8

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    100kHz

  • 访问时间

    3.5 μs

  • 内存格式

    EEPROM

  • 内存接口

    I2C

  • 组织结构

    2KX1

  • 内存宽度

    1

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ms

  • 密度

    2 kb

  • 待机电流-最大值

    3e-7A

  • 串行总线类型

    I2C

  • 耐力

    1000000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    10ms

  • 数据保持时间

    40

  • 写入保护

    HARDWARE

  • I2C控制字节

    1010DDDR

  • 长度

    4.9mm

  • 座位高度(最大)

    1.75mm

  • 宽度

    3.9mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor BR24C02-RMN6TP.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & BR24C02-RMN6TP相似的参数规格。

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