ROHM Semiconductor BR24G512FVT-3AGE2
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BR24G512FVT-3AGE2
2078-BR24G512FVT-3AGE2
存储器
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8TSSOP
--最小包装量--
BR24G512FVT-3AGE2详情
ROHM Semiconductor BR24G512FVT-3AGE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
电压 - 供电
1.7V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BR24G512
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
界面
2-Wire, I2C, Serial
内存大小
512Kb 64K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1MHz
访问时间
450 ns
内存格式
EEPROM
内存接口
I2C
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
密度
512 kb
待机电流-最大值
0.000003A
串行总线类型
I2C
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE
I2C控制字节
1010DDDR
长度
4.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BR24G512FVT-3AGE2拓展信息
ROHM Semiconductor
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