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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.416589
10
¥4.166598
100
¥3.93075
500
¥3.708258
1000
¥3.498356
ROHM Semiconductor BR24L08FVJ-WE2
- 收藏
- 对比
BR24L08FVJ-WE2
2078-BR24L08FVJ-WE2
存储器
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
大陆
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IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BR24L08FVJ-WE2详情
ROHM Semiconductor BR24L08FVJ-WE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
包装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Copper, Tin
Memory Types
Non-Volatile
已出版
2009
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~85°C TA
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.8V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
BR24L08
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
2/5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.8V
界面
2-Wire, I2C, Serial
内存大小
8Kb 1K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400kHz
内存格式
EEPROM
内存接口
I2C
组织结构
1KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
密度
8 kb
待机电流-最大值
0.000002A
串行总线类型
I2C
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE
I2C控制字节
1010DMMR
座位高度(最大)
1.1mm
宽度
3mm
长度
3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BR24L08FVJ-WE2拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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