ROHM Semiconductor BR24T04-W

表面安装

NO

终端数量

8

Operating Temperature (Max.)

85C

Operating Temperature Classification

Industrial

Package Type

DIP-T

Operating Temp Range

-40C to 85C

Interface Type

Serial (2-Wire)

Data Retention

40

Operating Supply Voltage (Max)

5.5(V)

Operating Supply Voltage (Typ)

1.8/2.5/3.3/5(V)

Rad Hardened

无

Operating Supply Voltage (Min)

1.6(V)

Operating Temperature (Min.)

-40C

Programmable

有

Mounting

通孔

Package Description

DIP, DIP8,.3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

512

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP8,.3

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BR24T04-W

Clock Frequency-Max (fCLK)

0.4 MHz

Number of Words

512 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

8.5

包装

Rail/Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

频率

0.4(MHz)

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDIP-T8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

1.8/5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.6 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.002 mA

组织结构

512x8

座位高度-最大

4.21 mm

内存宽度

8

密度

4096(Bit)

待机电流-最大值

0.000002 A

记忆密度

4096 bit

访问时间（最大）

900(ns)

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

编程电压

1.6 TO 5.5

串行总线类型

I2C

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

40

写入保护

有

I2C控制字节

1010DDMR

供应电流

2(mA)

宽度

7.62 mm

长度

9.3 mm