ROHM Semiconductor BR25H080FVT-WCE2

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

Memory Types

Non-Volatile

Usage Level

Automotive grade

操作温度

-40°C~125°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q100

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.51

电压 - 供电

2.5V~5.5V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

0.65mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BR25H080

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

3/5V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

界面

SPI, Serial

内存大小

8Kb 1K x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

5MHz

内存格式

EEPROM

内存接口

SPI

组织结构

1KX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

密度

8 kb

待机电流-最大值

0.00001A

串行总线类型

SPI

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5ms

数据保持时间

40

写入保护

HARDWARE

长度

4.4mm

座位高度(最大)

1.25mm

宽度

3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant