BR25H640F-2CE2
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ROHM Semiconductor BR25H640F-2CE2

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型号

BR25H640F-2CE2

utmel 编号

2078-BR25H640F-2CE2

商品类别

存储器

封装

8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8SOP

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BR25H640F-2CE2
BR25H640F-2CE2 ROHM Semiconductor IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8SOP

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BR25H640F-2CE2详情

ROHM Semiconductor BR25H640F-2CE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Usage Level

    Automotive grade

  • 操作温度

    -40°C~125°C TA

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 附加功能

    ALSO OPERATES AT 2.5V WITH 5MHZ AND SEATED HT-CALCULATED

  • 电压 - 供电

    2.5V~5.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    5V

  • 端子间距

    1.27mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5V

  • 电源

    3/5V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5V

  • 内存大小

    64Kb 8K x 8

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    10MHz

  • 内存格式

    EEPROM

  • 内存接口

    SPI

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    4ms

  • 待机电流-最大值

    0.00001A

  • 记忆密度

    65536 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 串行总线类型

    SPI

  • 耐力

    1000000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    4ms

  • 数据保持时间

    100

  • 写入保护

    HARDWARE/SOFTWARE

  • 长度

    5mm

  • 座位高度(最大)

    1.71mm

  • 宽度

    4.4mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor BR25H640F-2CE2.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & BR25H640F-2CE2相似的参数规格。

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