ROHM Semiconductor BR25H640F-2CE2
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BR25H640F-2CE2
2078-BR25H640F-2CE2
存储器
8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
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IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8SOP
--最小包装量--
BR25H640F-2CE2详情
ROHM Semiconductor BR25H640F-2CE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q100
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
附加功能
ALSO OPERATES AT 2.5V WITH 5MHZ AND SEATED HT-CALCULATED
电压 - 供电
2.5V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
3/5V
电源电压-最小值(Vsup)
4.5V
内存大小
64Kb 8K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
10MHz
内存格式
EEPROM
内存接口
SPI
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
4ms
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
SERIAL
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
4ms
数据保持时间
100
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
长度
5mm
座位高度(最大)
1.71mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BR25H640F-2CE2拓展信息
ROHM Semiconductor
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