ROHM Semiconductor BR25L020FVM-W
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BR25L020FVM-W
2078-BR25L020FVM-W
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BR25L020FVM-W详情
ROHM Semiconductor BR25L020FVM-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
质量
--
终端数量
8
Package Description
VSSOP, TSSOP8,.16
Package Style
SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
256
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP8,.16
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR25L020FVM-W
Clock Frequency-Max (fCLK)
5 MHz
Number of Words
256 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
VSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.71
Part Package Code
MSOP
系列
--
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
2/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.8 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.003 mA
组织结构
256X8
座位高度-最大
0.9 mm
内存宽度
8
工具类型
Combination, Ratcheting
待机电流-最大值
0.000002 A
记忆密度
2048 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
结束 - 大小
11/16
特征
Angled 15°, Reversible
宽度
2.8 mm
长度
2.9 mm
BR25L020FVM-W拓展信息







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