ROHM Semiconductor BR25L040FJ-WE2
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BR25L040FJ-WE2
2078-BR25L040FJ-WE2
存储器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC EEPROM 4K SPI 5MHZ 8SOPJ
--最小包装量--
BR25L040FJ-WE2详情
ROHM Semiconductor BR25L040FJ-WE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
电压 - 供电
1.8V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
BR25L040
引脚数量
8
资历状况
不合格
工作电源电压
5V
界面
SPI, Serial
内存大小
4Kb 512 x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
5MHz
访问时间
5 μs
内存格式
EEPROM
内存接口
SPI
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
密度
4 kb
待机电流-最大值
0.000002A
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.65mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BR25L040FJ-WE2拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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