ROHM Semiconductor BR25L320-W
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BR25L320-W
2078-BR25L320-W
存储器
8-DIP (0.300, 7.62mm)
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IC EEPROM 32K SPI 5MHZ 8-DIP-T
--最小包装量--
BR25L320-W详情
ROHM Semiconductor BR25L320-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
表面安装
NO
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3/e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN/TIN COPPER
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.8V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDIP-T8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
2/5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.8V
界面
SPI, Serial
内存大小
32Kb 4K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
5MHz
内存格式
EEPROM
内存接口
SPI
组织结构
4KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
待机电流-最大值
0.000002A
记忆密度
32768 bit
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
长度
9.3mm
座位高度(最大)
3.7mm
宽度
7.62mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BR25L320-W拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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