ROHM Semiconductor BR34E02NUX-3TR
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BR34E02NUX-3TR
2078-BR34E02NUX-3TR
存储器
8-UFDFN Exposed Pad
大陆
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IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030
--最小包装量--
BR34E02NUX-3TR详情
ROHM Semiconductor BR34E02NUX-3TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-UFDFN Exposed Pad
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2013
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
1.8/5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
界面
2-Wire, I2C, Serial
内存大小
2Kb 256 x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400kHz
内存格式
EEPROM
内存接口
I2C
组织结构
256X8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
待机电流-最大值
0.000002A
记忆密度
2048 bit
串行总线类型
I2C
写入周期时间 - 最大值
5ms
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
I2C控制字节
0110DDDR/1010DDDR
长度
3mm
座位高度(最大)
0.6mm
宽度
2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BR34E02NUX-3TR拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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