ROHM Semiconductor BR93G86FVJ-3AGTE2

工厂交货时间

9 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电压 - 供电

1.7V~5.5V

端子位置

DUAL

端子间距

0.635mm

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源

1.8/5V

界面

Serial

内存大小

16Kb 1K x 16

时钟频率

3MHz

访问时间

200 ns

内存格式

EEPROM

内存接口

SPI

组织结构

1KX16

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

密度

16 kb

待机电流-最大值

0.000002A

串行总线类型

3-WIRE

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

数据保持时间

40

写入保护

SOFTWARE

RoHS状态

ROHS3 Compliant