BR93L46RFVM-WTR
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ROHM Semiconductor BR93L46RFVM-WTR

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型号

BR93L46RFVM-WTR

utmel 编号

2078-BR93L46RFVM-WTR

商品类别

存储器

封装

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8MSOP

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BR93L46RFVM-WTR
BR93L46RFVM-WTR ROHM Semiconductor IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8MSOP

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BR93L46RFVM-WTR详情

ROHM Semiconductor BR93L46RFVM-WTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn97.5Cu2.5)

  • 电压 - 供电

    1.8V~5.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    2.5V

  • 端子间距

    0.65mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    8

  • 工作电源电压

    5V

  • 界面

    Serial

  • 内存大小

    1Kb 64 x 16

  • 电源电流

    4.5mA

  • 时钟频率

    2MHz

  • 访问时间

    200 ns

  • 内存格式

    EEPROM

  • 内存接口

    SPI

  • 组织结构

    64X16

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    5ms

  • 密度

    1 kb

  • 待机电流-最大值

    0.000002A

  • 串行总线类型

    MICROWIRE

  • 耐力

    1000000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    5ms

  • 数据保持时间

    40

  • 写入保护

    SOFTWARE

  • 长度

    2.9mm

  • 座位高度(最大)

    0.9mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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