ROHM Semiconductor BRCB008GWZ-3E2
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BRCB008GWZ-3E2
2078-BRCB008GWZ-3E2
存储器
6-XFBGA, CSPBGA
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IC EEPROM 8K I2C UCSP30L1
--最小包装量--
BRCB008GWZ-3E2详情
ROHM Semiconductor BRCB008GWZ-3E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFBGA, CSPBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2013
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
电压 - 供电
1.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.4mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PBGA-B4
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
1.8/3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
界面
2-Wire, I2C, Serial
内存大小
8Kb 1K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
401kHz
内存格式
EEPROM
内存接口
I2C
组织结构
1KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
待机电流-最大值
0.000002A
记忆密度
8192 bit
串行总线类型
I2C
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5ms
数据保持时间
40
I2C控制字节
1010XMMR
长度
0.94mm
座位高度(最大)
0.33mm
宽度
0.94mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BRCB008GWZ-3E2拓展信息
ROHM Semiconductor
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