BS2101F-E2
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ROHM Semiconductor BS2101F-E2

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型号

BS2101F-E2

utmel 编号

2078-BS2101F-E2

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

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BS2101F-E2
BS2101F-E2 ROHM Semiconductor IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

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BS2101F-E2详情

ROHM Semiconductor BS2101F-E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • Driver Configuration

    High-Side or Low-Side

  • Logic voltage-VIL, VIH

    1V 2.6V

  • 操作温度

    -40°C~125°C TA

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    SEATED HT-CALCULATED

  • 电压 - 供电

    10V~18V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升/下降时间(Typ)

    60ns 20ns

  • 接口IC类型

    基于半桥的mosfet驱动器

  • 信道型

    Synchronous

  • 驱动器数量

    2

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    60mA 130mA

  • 高边驱动器

    YES

  • 关断时间

    0.33 µs

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • 长度

    5mm

  • 座位高度(最大)

    1.71mm

  • 宽度

    4.4mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor BS2101F-E2.

BS2101F-E2拓展信息

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