ROHM Semiconductor BU2114F-E2
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BU2114F-E2
2078-BU2114F-E2
逻辑 - 移位寄存器
18-SOIC (0.213, 5.40mm Width)
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IC DRIVER CMOS 8BIT SOP18 TR
--最小包装量--
BU2114F-E2详情
ROHM Semiconductor BU2114F-E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
18-SOIC (0.213, 5.40mm Width)
引脚数
18
Number of Elements
1
操作温度
-25°C~75°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e3/e2
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
18
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN/TIN COPPER
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
电源电压
5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
BU2114
功能
串行转并行
资历状况
不合格
输出类型
开漏极态
逻辑功能
移位寄存器
逻辑类型
移位寄存器
输入特性
STANDARD
每个元素的比特数
8
接口IC类型
基于SIPO的外围设备驱动器
接通时间
0.2 μs
输出峰值电流限制-名
0.15A
关断时间
0.2 μs
输出电流流向
SINK
宽度
5.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
BU2114F-E2拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







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