ROHM Semiconductor DTA014YMT2L
- 收藏
- 对比
DTA014YMT2L
2078-DTA014YMT2L
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-723
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
--最小包装量--
DTA014YMT2L详情
ROHM Semiconductor DTA014YMT2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
输出电压
-70mV
极性
PNP
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
150mV
最大集电极电流
70mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 5mA
最高频率
250MHz
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTA014YMT2L拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。