参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
表面安装
YES
供应商器件包装
VMT3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Typical Resistor Ratio
0.47
Package Type
VMT
Typical Input Resistor
4.7
Collector Current (DC)
0.1(A)
Emitter-Collector Voltage (Max)
50(V)
DC Current Gain
35
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
-
Transistor Polarity
Single PNP
Pd - Power Dissipation
150 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
8000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
DTA043XM
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
Maximum Operating Frequency
250 MHz
RoHS
Details
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
DTA043XMT2L
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
1.66
系列
DTA043X
包装
卷带
ECCN 代码
EAR99
类型
PNP
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.1
子类别
Transistors
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F3
输出电压
150 mV
配置
Single
功率耗散
0.15(W)
功率 - 最大
150 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
250 MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
35
电阻基(R1)
4.7 kOhms
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased