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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.260023
500
¥0.191195
1000
¥0.159331
2000
¥0.146172
5000
¥0.136606
10000
¥0.127079
15000
¥0.122897
50000
¥0.120847
ROHM Semiconductor DTA043ZEBTL
- 收藏
- 对比
DTA043ZEBTL
2078-DTA043ZEBTL
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-89, SOT-490
大陆
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TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DTA043ZEBTL详情
ROHM Semiconductor DTA043ZEBTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
质量
29.993795mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 10
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F3
输出电压
-70mV
极性
PNP
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
150mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 5mA
最高频率
250MHz
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTA043ZEBTL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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