DTA114EUBHZGTL
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ROHM Semiconductor DTA114EUBHZGTL

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型号

DTA114EUBHZGTL

utmel 编号

2078-DTA114EUBHZGTL

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

SC-85

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

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DTA114EUBHZGTL
DTA114EUBHZGTL ROHM Semiconductor PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

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DTA114EUBHZGTL详情

ROHM Semiconductor DTA114EUBHZGTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-85

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    -50V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    -50V

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 5mA 5V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 500μA, 10mA

  • 转换频率

    250MHz

  • 频率转换

    250MHz

  • 电阻基(R1)

    10 k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 k Ω

  • 达到SVHC

    Unknown

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor DTA114EUBHZGTL.

DTA114EUBHZGTL拓展信息

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