ROHM Semiconductor DTA114TU3T106

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

10 Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant