ROHM Semiconductor DTA124ESA
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DTA124ESA
2078-DTA124ESA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
1210 (3225 Metric)
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Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP
--最小包装量--
DTA124ESA详情
ROHM Semiconductor DTA124ESA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
1210 (3225 Metric)
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
活跃
Voltage Rated
200V
RoHS
Compliant
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
DTA124ESA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.56
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
GA
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
容差
±2%
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
温度系数
C0G, NP0
端子表面处理
锡银铜
应用
汽车
附加功能
DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.75
电容量
1200 pF
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
失败率
-
引线间距
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
引线样式
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.03 A
最小直流增益(hFE)
56
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.3 V
特征
-
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
0.076 (1.94mm)
评级结果
AEC-Q200
DTA124ESA拓展信息
ROHM Semiconductor
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