ROHM Semiconductor DTA124EUBTL
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DTA124EUBTL
2078-DTA124EUBTL
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-85
大陆
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TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
--最小包装量--
DTA124EUBTL详情
ROHM Semiconductor DTA124EUBTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
SC-85
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
85
hFEMin
56
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
已出版
2013
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
DTA124
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-F3
极性
PNP
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
30mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
56 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
22 k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
22 k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTA124EUBTL拓展信息
ROHM Semiconductor
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