ROHM Semiconductor DTB113ECT116

工厂交货时间

13 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

已出版

2015

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

33 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

200MHz

电阻基(R1)

1 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

1 k Ω

VCEsat-最大值

0.3 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant