ROHM Semiconductor DTB113ES

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

DTB113ES

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Risk Rank

5.47

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Part Life Cycle Code

活跃

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

33

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V