ROHM Semiconductor DTB113ZSTP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

SC-72 Formed Leads

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

56

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2004

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

300mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

DTB113

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

56 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

电阻基(R1)

1 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

10 k Ω

VCEsat-最大值

0.3 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅