ROHM Semiconductor DTB143ECT216
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DTB143ECT216
2078-DTB143ECT216
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PREBIAS PNP 500MA SC59
--最小包装量--
DTB143ECT216详情
ROHM Semiconductor DTB143ECT216重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
47
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
DTB143
引脚数量
3
资历状况
不合格
极性
PNP
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
47 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
500μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
转换频率
200MHz
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DTB143ECT216拓展信息
ROHM Semiconductor
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