ROHM Semiconductor DTB743ZMT2L
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DTB743ZMT2L
2078-DTB743ZMT2L
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-723
大陆
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TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
--最小包装量--
DTB743ZMT2L详情
ROHM Semiconductor DTB743ZMT2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
7 Weeks
包装/外壳
SOT-723
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
DTB743
引脚数量
3
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
140 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
转换频率
260MHz
频率转换
260MHz
电阻基(R1)
4.7 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
DTB743ZMT2L拓展信息
ROHM Semiconductor
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