参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
底架
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
EMT3F (SOT-416FL)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
DC Current Gain
80
Emitter-Collector Voltage (Max)
50(V)
Collector Current (DC)
0.1(A)
Typical Input Resistor
22
Package Type
EMTF
Typical Resistor Ratio
0.476
Pd - Power Dissipation
150 mW
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
80
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
DTC024XEB
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
Maximum DC Collector Current
100 mA
RoHS
Details
Package Description
ROHS COMPLIANT, EMT3F, SC-89, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
DTC024XEBTL
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
2.3
系列
-
包装
卷带
ECCN 代码
EAR99
类型
NPN
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.1
子类别
Transistors
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F3
输出电压
0.05 V
极性
NPN
配置
Single
功率耗散
0.15(W)
功率 - 最大
150 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
250 MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
80
电阻基(R1)
22 kOhms
连续集电极电流
50 mA
电阻-发射极基极(R2)
47 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased