DTC024XEBTL
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Rohm Semiconductor DTC024XEBTL

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型号

DTC024XEBTL

utmel 编号

2078-DTC024XEBTL

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

SC-89, SOT-490

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NPN, SOT-416FL, R1R2 LEAK ABSORP

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DTC024XEBTL
DTC024XEBTL Rohm Semiconductor NPN, SOT-416FL, R1R2 LEAK ABSORP

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DTC024XEBTL详情

Rohm Semiconductor DTC024XEBTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-89, SOT-490

  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    EMT3F (SOT-416FL)

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • DC Current Gain

    80

  • Emitter-Collector Voltage (Max)

    50(V)

  • Collector Current (DC)

    0.1(A)

  • Typical Input Resistor

    22

  • Package Type

    EMTF

  • Typical Resistor Ratio

    0.476

  • Pd - Power Dissipation

    150 mW

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • DC Collector/Base Gain hfe Min

    80

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Part # Aliases

    DTC024XEB

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Brand

    ROHM 半导体

  • Maximum DC Collector Current

    100 mA

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, EMT3F, SC-89, 3 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • Manufacturer Part Number

    DTC024XEBTL

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    2.3

  • 系列

    -

  • 包装

    卷带

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    NPN

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.1

  • 子类别

    Transistors

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F3

  • 输出电压

    0.05 V

  • 极性

    NPN

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    0.15(W)

  • 功率 - 最大

    150 mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    150mV @ 500μA, 5mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50 V

  • 频率转换

    250 MHz

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    80

  • 电阻基(R1)

    22 kOhms

  • 连续集电极电流

    50 mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47 kOhms

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

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