ROHM Semiconductor DTC043EUBTL

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-85

引脚数

85

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F3

输出电压

50mV

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

150mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 5mA 10V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500μA, 5mA

最高频率

250MHz

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

电阻基(R1)

4.7 k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

4.7 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅