ROHM Semiconductor DTC114EEFRATL
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DTC114EEFRATL
2078-DTC114EEFRATL
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
大陆
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TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
--最小包装量--
DTC114EEFRATL详情
ROHM Semiconductor DTC114EEFRATL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
DTC114
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500nA, 10mA
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DTC114EEFRATL拓展信息
ROHM Semiconductor
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