ROHM Semiconductor DTC114TSA
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DTC114TSA
2078-DTC114TSA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
Axial
大陆
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Pre-biased digital Transistor, 50v V(br)ceo, 100ma I(c), To-92va
--最小包装量--
DTC114TSA详情
ROHM Semiconductor DTC114TSA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
Axial
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
松下电子元器件
Product Status
Obsolete
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
DTC114TSA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
7.81
Part Package Code
SC-72
操作温度
-55°C ~ 200°C
系列
CC
尺寸/尺寸
0.157 Dia x 0.472 L (4.00mm x 12.00mm)
容差
±5%
JESD-609代码
e1
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±350ppm/°C
电阻
100 Ohms
端子表面处理
锡银铜
组成
金属氧化膜
功率(瓦特)
2W
附加功能
DIGITAL
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
100
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.3 V
特征
Flame Retardant Coating, Safety
座位高度(最大)
-
DTC114TSA拓展信息
ROHM Semiconductor
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