ROHM Semiconductor DTC114TUAFRAT106

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

Single NPN

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DTC114TUAFRAT106

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

7.18

ECCN 代码

EAR99

附加功能

内置偏置电阻

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

100mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

达到SVHC

compliant