ROHM Semiconductor DTC114TUAFRAT106

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

Single NPN

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DTC114TUAFRAT106

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

7.18

ECCN 代码

EAR99

附加功能

内置偏置电阻

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

100mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V