ROHM Semiconductor DTC115EE
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DTC115EE
2078-DTC115EE
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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Description: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
--最小包装量--
DTC115EE详情
ROHM Semiconductor DTC115EE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
安装孔直径
12.2 mm
外壳材料
1
Gross Weight
14.85
Transport Packaging Size/Quantity
42*28*18.5/1000
Switching Scheme
ON-OFF, SPST
Teral Type
blade terminalsmin
Minimum Electrical Switch Cycles
10000
Nominal Current
10/ 6 A
Nominal Voltage
125/ 250 (AC) V
Dielectric Strength
1500 (50 Hz, 1 min.) V
Number of Contacts in Group/ Groups (Total Contacts)
2/ 1 (2P)
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
46.7 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
触点电阻
50 mOhm maximum
绝缘电阻
1000 (at Uisol.dc=500 V) MOhm minimum
开关类型
Single-Pole Toggle Switch KN3E series
极性/通道类型
NPN
工作温度范围
-25…+70 (+85 max) °C
最大耗散功率(Abs)
0.15 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
82
高度
22.9 mm
宽度
14.5 mm
DTC115EE拓展信息
ROHM Semiconductor
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