ROHM Semiconductor DTC123JEBMGTL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

供应商器件包装

EMT3F (SOT-416FL)

R2

47k Ohms

R1

10k Ohms

VCBO

50V

DC current gain hFE

80

Collector-emitter saturation voltage

250mV

Collector continuous current

100mA

Collector-emitter maximum voltage VCEO

50V

Power dissipation Pd

187mW

Package/Enclosure

SOT-363

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

DTC123

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Operating temperature

-55℃~+150℃

系列

DTC123J

功率 - 最大

150 mW

fet type

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250µA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

电阻基(R1)

2.2 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

47 kOhms