ROHM Semiconductor DTC143TEBTL
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DTC143TEBTL
2078-DTC143TEBTL
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
大陆
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TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
--最小包装量--
DTC143TEBTL详情
ROHM Semiconductor DTC143TEBTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
DTC143
引脚数量
3
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 250μA, 5mA
最高频率
250MHz
转换频率
250MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
4.7 k Ω
连续集电极电流
100mA
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTC143TEBTL拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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