ROHM Semiconductor DTC314TKT146
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DTC314TKT146
2078-DTC314TKT146
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
1最小包装量--
DTC314TKT146详情
ROHM Semiconductor DTC314TKT146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
hFEMin
100
Number of Elements
1
已出版
2001
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
15V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
600mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
DTC314
引脚数量
3
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN, PNP
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
80mV @ 2.5mA, 50mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
15V
频率转换
200MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
10 k Ω
连续集电极电流
600mA
VCEsat-最大值
0.08 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
DTC314TKT146拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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