注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.312027
500
¥0.229435
1000
¥0.191195
2000
¥0.175405
5000
¥0.163933
10000
¥0.152492
15000
¥0.147479
50000
¥0.145014
ROHM Semiconductor DTC614TKT146
- 收藏
- 对比
DTC614TKT146
2078-DTC614TKT146
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DTC614TKT146详情
ROHM Semiconductor DTC614TKT146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
DTC614
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
200mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
150mV
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
820 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 2.5mA, 50mA
转换频率
150MHz
最大击穿电压
20V
频率转换
150MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTC614TKT146拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








哦! 它是空的。