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1

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10

￥0.413926
100

￥0.390497
500

￥0.368393
1000

￥0.34754

ROHM Semiconductor DTC914TUBTL

Name: DTC914TUBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 2078-DTC914TUBTL
Price: 0.44 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

DTC914TUBTL

品牌

ROHM Semiconductor

utmel 编号

2078-DTC914TUBTL

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-85

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

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DTC914TUBTL ROHM Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F

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DTC914TUBTL详情

技术参数

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型号对比

ROHM Semiconductor DTC914TUBTL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

13 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-85
引脚数

85
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V
Number of Elements

1
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2013
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

150°C
最大功率耗散

200mW
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
JESD-30代码

R-PDSO-F3
极性

NPN
元素配置

Single
晶体管应用

SWITCHING
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

100mV
最大集电极电流

400mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

820 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 3mA, 30mA
最高频率

35MHz
转换频率

35MHz
最大击穿电压

20V
发射极基极电压 (VEBO)

40V
电阻基(R1)

10 k Ω
连续集电极电流

400mA
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor DTC914TUBTL.

数据表 :
DTC914TUB

DTC914TUBTL拓展信息

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