DTD543EETL
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ROHM Semiconductor DTD543EETL

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型号

DTD543EETL

utmel 编号

2078-DTD543EETL

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

SC-75, SOT-416

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

起订量

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DTD543EETL
DTD543EETL ROHM Semiconductor TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

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DTD543EETL详情

ROHM Semiconductor DTD543EETL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 包装/外壳

    SC-75, SOT-416

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • Number of Elements

    1

  • 已出版

    2009

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    DTD543

  • 引脚数量

    3

  • 输出电压

    60mV

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    115 @ 100mA 2V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 2.5mA, 50mA

  • 最高频率

    260MHz

  • 转换频率

    260MHz

  • 最大击穿电压

    12V

  • 电阻基(R1)

    4.7 k Ω

  • 连续集电极电流

    500mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    4.7 k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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DTD543EETL拓展信息

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