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DTDS14GP-T100

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ROHM Semiconductor DTDS14GP-T100

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对比

型号

DTDS14GP-T100

品牌

ROHM Semiconductor

utmel 编号

2078-DTDS14GP-T100

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON

起订量

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DTDS14GP-T100

DTDS14GP-T100 ROHM Semiconductor SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON

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DTDS14GP-T100详情

技术参数

ROHM Semiconductor DTDS14GP-T100重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Package Style

小概要
Moisture Sensitivity Levels

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

10
Rohs Code

有
Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz
Manufacturer Part Number

DTDS14GPT100
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

ROHM 半导体
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

不推荐
Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD
Risk Rank

8.02
ECCN 代码

EAR99
附加功能

DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码

8541.21.00.75
端子位置

SINGLE
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PSSO-F3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
集电极电流-最大值(IC)

2 A
最小直流增益（hFE）

500
集电极-发射器电压-最大值

50 V

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DTDS14GP-T100拓展信息

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