EMF6T2R
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ROHM Semiconductor EMF6T2R

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型号

EMF6T2R

utmel 编号

2078-EMF6T2R

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PNP BIP MOS EMT6

起订量

1最小包装量--

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EMF6T2R
EMF6T2R ROHM Semiconductor TRANS PNP BIP MOS EMT6

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EMF6T2R详情

ROHM Semiconductor EMF6T2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    12V PNP 30V N Channel

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铜

  • 最高工作温度

    150°C

  • 应用

    通用型

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 额定电流

    500mA PNP 100mA N Channel

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    100mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    PNP

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    PNP, N-Channel

  • 转换频率

    260MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.15W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.5A

  • 最小直流增益(hFE)

    270

  • 集电极-发射器电压-最大值

    12V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor EMF6T2R.

EMF6T2R拓展信息

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