ROHM Semiconductor EML20T2R
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EML20T2R
2078-EML20T2R
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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TRANS PREBIAS NPN 0.15W
1最小包装量--
EML20T2R详情
ROHM Semiconductor EML20T2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
极性
NPN
通道数量
2
最大电源电压
50V
元素配置
Single
最大输出电压
50V
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Pre-Biased + Diode
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
2.2 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EML20T2R拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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