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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.416116
10
¥0.392563
100
¥0.370341
500
¥0.349379
1000
¥0.329602
ROHM Semiconductor IMT17T110
- 收藏
- 对比
IMT17T110
2078-IMT17T110
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74, SOT-457
大陆
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TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IMT17T110详情
ROHM Semiconductor IMT17T110重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
MT17
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
200MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
600mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 100mA 3V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 50mA, 500mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IMT17T110拓展信息






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