ROHM Semiconductor UMT18NTR
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UMT18NTR
2078-UMT18NTR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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PNP PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
--最小包装量--
UMT18NTR详情
ROHM Semiconductor UMT18NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 200mA
转换频率
260MHz
频率转换
260MHz
集电极基极电压(VCBO)
15V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMT18NTR拓展信息








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