ROHM Semiconductor MMST4126T146
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MMST4126T146
2078-MMST4126T146
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS GP BJT PNP 25V 0.2A 3-PIN
1最小包装量--
MMST4126T146详情
ROHM Semiconductor MMST4126T146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SMT3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
200 mA
Base Product Number
MMST4126
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
MMST4126T146
Turn-on Time-Max (ton)
70 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Turn-off Time-Max (toff)
250 ns
Risk Rank
5.77
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
200 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
82 @ 10mA, 10V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
25 V
集电极电流-最大值(IC)
0.2 A
最小直流增益(hFE)
60
集电极-发射器电压-最大值
25 V
VCEsat-最大值
0.4 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
MMST4126T146拓展信息
ROHM Semiconductor
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