RB521ZS8A30TE61
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ROHM Semiconductor RB521ZS8A30TE61

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型号

RB521ZS8A30TE61

utmel 编号

2078-RB521ZS8A30TE61

商品类别

二极管 - 整流器 - 阵列

封装

8-XFDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 8HMD

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RB521ZS8A30TE61
RB521ZS8A30TE61 ROHM Semiconductor DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 8HMD

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RB521ZS8A30TE61详情

ROHM Semiconductor RB521ZS8A30TE61重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-XFDFN

  • 引脚数

    8

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    4

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2002

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    最后一次购买

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 应用

    GENERAL PURPOSE

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 最大功率耗散

    400mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 基本部件号

    RB521ZS8A30

  • 速度

    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

  • 二极管类型

    Schottky

  • 正向电流

    100mA

  • 工作温度 - 结点

    150°C Max

  • 输出电流-最大值

    0.1A

  • 正向电压

    370mV

  • 最大反向电压(DC)

    30V

  • 平均整流电流

    100mA

  • 相位的数量

    1

  • 峰值反向电流

    7μA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    30V

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    500A

  • 二极管配置

    4 Independent

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    500mA

  • 反向测试电压

    10V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ROHM Semiconductor RB521ZS8A30TE61.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RB521ZS8A30TE61相似的参数规格。

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    Package / Case
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    Average Rectified Current
    RoHS Status
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Diode Type
    Diode Element Material
    查看对比:
  • RB521ZS8A30TE61

    RB521ZS8A30TE61

    Surface Mount

    8-XFDFN

    370 mV

    100 mA

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

    Schottky

    SILICON

  • MBR230S1F-7

    Surface Mount

    2-SMD, No Lead

    370 mV

    200 mA

    ROHS3 Compliant

    1 (Unlimited)

    Schottky

    SILICON

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RB521ZS8A30TE61拓展信息

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