Rohm Semiconductor RGS80TS65DHRC11

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247N

厂商

Rohm Semiconductor

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

73 A

Test Conditions

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

272 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

450

Continuous Collector Current at 25 C

73 A

Mounting Styles

通孔

Part # Aliases

RGS80TS65DHR

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

系列

-

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

功率耗散

272

输入类型

Standard

功率 - 最大

272 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 40A

连续集电极电流

73

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

48 nC

集极脉冲电流（Icm）

120 A

Td（开/关）@25°C

37ns/112ns

开关能量

1.05mJ (on), 1.03mJ (off)

反向恢复时间(trr)

103 ns

产品类别

IGBT晶体管