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价格梯度

内地含税价

1

￥57.235802
10

￥53.996042
100

￥50.939659
500

￥48.056281
1000

￥45.336119

Rohm Semiconductor RGS80TS65DHRC11

Name: RGS80TS65DHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 2078-RGS80TS65DHRC11
Price: 57.24 USD
Availability: InStock
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对比

型号

RGS80TS65DHRC11

品牌

Rohm Semiconductor

utmel 编号

2078-RGS80TS65DHRC11

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

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RGS80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

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RGS80TS65DHRC11详情

技术参数

Rohm Semiconductor RGS80TS65DHRC11重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-3
供应商器件包装

TO-247N
厂商

Rohm Semiconductor
Package

Tube
Product Status

活跃
Current-Collector (Ic) (Max)

73 A
Test Conditions

400V, 40A, 10Ohm, 15V
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65
MSL

MSL 1 - Unlimited
Qualification

AEC-Q101
Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation

272 W
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Minimum Operating Temperature

- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

450
Continuous Collector Current at 25 C

73 A
Mounting Styles

通孔
Part # Aliases

RGS80TS65DHR
Manufacturer

ROHM 半导体
Brand

ROHM 半导体
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V
系列

-
操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)
包装

Tube
子类别

IGBTs
技术

Si
配置

Single
功率耗散

272
输入类型

Standard
功率 - 最大

272 W
产品类别

IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 40A
连续集电极电流

73
IGBT类型

沟渠现场停车
闸门收费

48 nC
集极脉冲电流（Icm）

120 A
Td（开/关）@25°C

37ns/112ns
开关能量

1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
反向恢复时间(trr)

103 ns
产品类别

IGBT晶体管

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