ROHM Semiconductor RGT00TS65DGC11

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

85A

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 10 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

277W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

反向恢复时间

54ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

650V

接通时间

110 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

225 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

94nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

42ns/137ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant